p 安装、配置好vaspkit之后输入vaspkit可启动软件包 12345678910111213141516171819202122232425262728293031323334(base) storm@DESKTOP-HE4FQ8Q:~/my-learn/trash-vaspkit$ vaspkit \\\/// / _ _ \

从上周三开完组会一直到现在都还没怎么缓过神来，不能再这样下去了😟，得主动出击。早上起来忧心忡忡的，高分子物理没心情上，吃完早饭直接去鼎新馆吧。昨晚大概M$入门了，建模后提交了任务，但是可能INCAR里面参数设置得不够合理，今天下午提交的任务才收敛。尝试想了一些方案但是被师兄否定了，提高电解质中离子电导率的机理也许是清楚的，但是没有一篇明晰的文献手把手教我应该挑选那些元素掺杂来提高离子电导率，也许

歌词 123456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142434445[00:00.60]许美静 - 阳光总在风雨后[00:01.60]词：陈佳明[00:02.60]曲：陈佳明[00:24.34]人生路上甜苦和喜忧[00:29.24]愿与你分担所有[00:34.15]难免曾经跌倒和等候[00:39.

歌词 123456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142[00:00.43]快乐无罪 - 许美静[00:01.62]词：许常德/陈佳明[00:03.13]曲：陈建宁/陈政卿[00:19.82]你要我快乐[00:23.76]我非常快乐[00:27.22]在不想太多的时候[00:34.32]吻你是烟火

f 使用VASP计算离子电导率，似乎比较麻烦 一个能量较低、结构合理的起始三维构型是进行MD模拟的第一步 分子动力学模拟的基本步骤 确定起始构型 选用适当的力场和模拟软件 构建体系和能量最小化 平衡过程 数据采集过程 结果分析 根据系统的传播方式，分子模拟方法可以分为分子动力学MD和蒙特卡洛MC两类方法 分子动力学通过数值积分求解牛顿运动方程，生成系统轨迹，可研究结构、动力学和热力学性质

s ENCUT是用来指定平面波基组能量截止值的参数 以上是wiki对ENCUT的描述，POTCAR文件中已经包含了元素的ENMAX和ENMIN，这也是互联网上对ENCUT的选择方案对通常是1.3倍的ENMAX 侯柱峰老师提供了另外一种方法并指出通过该方法选择的ENCUT通常能满足1.3倍ENMAX，供参考使用 截断能指定了用于波函数展开的平面波基组的截断能量，此能量越大则用来描述波函数的平面波

关于表面能 根据VASP官方手册Hands on Session III，表面能的定义如下，大师兄的文章也提到了这个定义( Nanoscale, 2017, 9, 13089–13094) σ=σunrelax+Erelax=12(Esurf−Natoms⋅Ebulk)+Erelax\sigma=\sigma^{unrelax}+E^{relax}=\dfrac{1}{2}(E_{surf}-N

本文为一个查阅性的记录文章，也可以说是搬运，内容取自侯柱锋老师的使用VASP的个人经验手册 元素 普通赝势 (eV) 高硬赝势 (eV) 软赝势 (eV) d 电子作为半芯态来处理赝势 (eV) B 318 700 (B_h) 250 (B_s) - C 400 700 (C_h) 273 (C_s) - N 400 700 (N_h) 250 (N_s) - O 400

本文其实没啥新的内容，只是对上两节的一个总结分析 在表面弛豫前（slab模型优化计算前） 12345678910111213SYSTEM = p(1x1)Cu(111)1.0 2.5701000690 0.0000000000 0.0000000000 -1.2850500345 2.2257719501 0

POSCAR的修改 与单点计算不同，优化计算可能涉及到离子步迭代、晶格常数的改变。但Cu(111)晶面的优化计算并不只是在INCAR里添加参数IBRION，优化计算确实允许原子弛豫，但在slab模型中，只允许表面的两层原子允许弛豫，而下面的那些原子则直接固定住 这样做的物理意义在于：在真实的环境下，催化剂体相看做是不变的，只有表面的原子参与催化反应 前面在乙醇分子的振动频率分析里面已经学过了